商品一覧
カテゴリー: マイコン・半導体・LED
商品画像 | メーカー名▼ 商品名▼ / 型番▼ / 通販価格(税込) |
詳細 |
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International Rectifier パワーMOSFET IRFP4321PbF
●極性:N-ch
●ドレイン電流ID:78A
●許容損失PD:310W
●ドレイン・ソース間電圧VDSS:150V
●ドレイン・ソース間オン抵抗 (typ)RDS(ON):12mΩ
●パッケージ...
【数量1個〜】単価 ¥168
【数量100個〜】単価 ¥152 |
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET (N-ch 250V<VDSS≤500V) TK12A50D
【2SK2842の代替品】
【絶対最大定格】
ドレイン電流ID:12A
許容損失PD:45W
ドレイン・ソース間電圧VDSS:500V
【電気的特性】
入力容量 (Typ.)Ciss:13...
【数量1個〜】単価 ¥231
【数量100個〜】単価 ¥208 |
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東芝(TOSHIBA) シリコンN-チャネルMOSFET 2SK4019(Q)
○4V駆動
○オン抵抗RDS(ON)=0.17Ω(標準)
○順方向伝達アドミタンス:|Yfs|=4.5S(標準)
○漏れ電流:IDSS=100μA(最大)(VDS=100V)
【絶対最大定格...
【数量1個〜】単価 ¥105
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET(N-ch 250V<VDSS≤500V) TK8A50D
【絶対最大定格】
ドレイン電流ID:8A
許容損失PD:40W
ドレイン・ソース間電圧VDSS:500V
【電気的特性】
入力容量(Typ.)Ciss:800pF
ゲート入力電荷(Typ....
【数量1個〜】単価 ¥137
【数量100個〜】単価 ¥123 |
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) TK5A50D
○ドレイン電流ID:5A
○許容損失PD:35W
○ドレイン・ソース間電圧VDSS:500V
○入力容量 (Typ.)Ciss:490pF
○ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:11nC
○ドレイ...
【数量1個〜】単価 ¥105
【数量100個〜】単価 ¥95 |
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET(N-ch 150V<VDSS≤250V) TK13A25D
○ドレイン電流ID:13A
○許容損失PD:35W
○ドレイン・ソース間電圧VDSS:250V
○入力容量 (Typ.)Ciss:1100pF
○ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:25nC
○ド...
【数量1個〜】単価 ¥147
【数量100個〜】単価 ¥133 |
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET (N-ch 700V<VDSS) 2SK3566
【絶対最大定格】
ドレイン電流ID:2.5A
許容損失PD:40W
ドレイン・ソース間電圧VDSS:900V
【電気的特性】
入力容量 (Typ.)Ciss:470pF
ゲート入力電荷 (...
【数量1個〜】単価 ¥111
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET(N-ch 700V<VDSS) 2SK3700
○ドレイン電流ID:5A
○許容損失PD:150W
○ドレイン・ソース間電圧VDSS:900V
○入力容量 (Typ.)Ciss:1150pF
○ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:28nC
○ド...
【数量1個〜】単価 ¥252
【数量100個〜】単価 ¥227 |
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET(N-ch 700V<VDSS) 2SK3799
○ドレイン電流ID:8A
○許容損失PD:50W
○ドレイン・ソース間電圧VDSS:900V
○入力容量 (Typ.)Ciss:2200pF
○ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:60nC
○ドレ...
【数量1個〜】単価 ¥252
【数量100個〜】単価 ¥227 |
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET (N-ch 1素子 30V<VDSS≤60V) TK30A06N1
【2SK2312の代替品】
ドレイン電流ID:43A
許容損失PD:25W
ドレイン・ソース間電圧VDSS:60V
ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:16nC
ドレイン・ソース間オン抵抗 (...
【数量1個〜】単価 ¥105
【数量100個〜】単価 ¥95 |
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) TK12J60U
○ドレイン電流ID:12A
○許容損失PD:144W
○ドレイン・ソース間電圧VDSS:600V
○入力容量 (Typ.)Ciss:720pF
○ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:14nC
○ド...
【数量1個〜】単価 ¥233
【数量100個〜】単価 ¥208 |
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET (N-ch 250V<VDSS≤500V) TK7A45DA
○ドレイン電流ID:6.5A
○許容損失PD:35W
○ドレイン・ソース間電圧VDSS:450V
○入力容量 (Typ.)Ciss:540pF
○ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:11nC
○ド...
【数量1個〜】単価 ¥111
【数量100個〜】単価 ¥100 |
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東芝(TOSHIBA) パワーMOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) TK3A60DA
○ドレイン電流ID:2.5A
○許容損失PD:30W
○ドレイン・ソース間電圧VDSS:600V
○入力容量 (Typ.)Ciss:380pF
○ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:9nC
○ドレ...
【数量1個〜】単価 ¥74
【数量100個〜】単価 ¥67 |
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International Rectifier MOSFET IRLU3410PBF
■特長
低RDS(on)
動的dv/dt定格
高速スイッチング
動作温度: 175 °C
ロジックレベル
■仕様
チャンネルタイプ:N
最大連続ドレイン電流:17 A
最大ドレイン-...
【数量1個〜】単価 ¥210
【数量100個〜】単価 ¥189 |
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Infineon Technologies MOSFET IRLB3034PBF
■仕様
パッケージ/ケース:TO-220-3
チャンネル数:1 Channel
トランジスタ極性:N-Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:40 V
Id - 連続ドレイン...
【数量1個〜】単価 ¥263
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東芝(TOSHIBA) MOSFET TK16J60W5
MOSFET TO-3PN(OS) PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS
■用途
スイッチングレギュレータ用
■特長
(1) 逆回復時間が早い: trr = 100 n...
【数量1個〜】単価 ¥473
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ST Micro MOSFET STP7NK80Z
■仕様
パッケージ:TO-220-3
トランジスタ極性:N-Channel
チャンネル数:1 Channel
Vds:800 V
Id:5.2 A
Rds:1.8 Ohms
Vgs :-30V...
【数量1個〜】単価 ¥399
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ST Micro MOSFET STW10NK60Z
■仕様
パッケージ:TO-247-3
トランジスタ極性:N-Channel
チャンネル数:1Channel
Vds:600V
Id:10A
Rds On:750mOhms
Vgs:-30V,+3...
【数量1個〜】単価 ¥473
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ST Micro MOSFET STP10NK80Z
■仕様
パッケージ:TO-220-3
トランジスタ極性:N-Channel
チャンネル数:1Channel
Vds:800V
Id:9A
Rds On:900mOhms
Vgs:-30V,+3...
【数量1個〜】単価 ¥420
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ST Micro MOSFET STW8NK80Z
■仕様
パッケージ/ケース:TO-247-3
トランジスタ極性:N-Channel
チャンネル数:1Channel
Vds:800V
Id:6.2A
Rds On:1.5 Ohms
Vgs:-...
【数量1個〜】単価 ¥473
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ST Micro MOSFET STW11NK90Z
■仕様
パッケージ/ケース:TO-247-3
トランジスタ極性:N-Channel
チャンネル数:1Channel
Vds:900V
Id:9.2A
Rds On:980 mOhms...
【数量1個〜】単価 ¥473
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ST Micro MOSFET STP6N60M2
■仕様
パッケージ/ケース:TO-220-3
トランジスタ極性:N-Channel
チャンネル数:1Channel
Vds:600V
Id:4.5A
Rds On:1.06 Ohms...
【数量1個〜】単価 ¥315
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ST Micro MOSFET STP14NK50Z
■仕様
パッケージ:TO-220-3
トランジスタ極性:N-Channel
チャンネル数:1Channel
Vds:500V
Id:14A
Rds On:380 mOhms
Vgs:-30V,...
【数量1個〜】単価 ¥399
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ST Micro MOSFET STF11NM50N
■仕様
パッケージ:TO-220-3
トランジスタ極性:N-Channel
チャンネル数:1Channel
Vds:500V
Id:8.5A
Rds On:470 mOhms
Vgs:-25...
【数量1個〜】単価 ¥263
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ST Micro MOSFET STP7NK40Z
■仕様
パッケージ:TO-220-3
トランジスタ極性:N-Channel
チャンネル数:1Channel
Vds:400V
Id:5.4A
Rds On:1 Ohms
Vgs:-30V,+3...
【数量1個〜】単価 ¥210
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ST Micro MOSFET STP6NK90Z
■仕様
パッケージ:TO-220-3
トランジスタ極性:N-Channel
チャンネル数:1Channel
Vds:900V
Id :5.8A
Rds On:2 Ohms
Vgs:-30V,+...
【数量1個〜】単価 ¥495
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ST Micro MOSFET STU3N62K3
■仕様
パッケージ:TO-251-3
トランジスタ極性:N-Channel
チャンネル数:1Channel
Vds:620V
Id:2.7 A
Rds On:2.5 Ohms
V...
【数量1個〜】単価 ¥189
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ST Micro MOSFET STP13NK60Z
■仕様
パッケージ:TO-220-3
トランジスタ極性:N-Channel
チャンネル数:1Channel
Vds:600V
Id:13A
Rds On:550 mOhms
Vg...
【数量1個〜】単価 ¥368
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ST Micro MOSFET STP30NF10
■仕様
パッケージ:TO-220-3
トランジスタ極性:N-Channel
チャンネル数:1Channel
Vds:100V
Id:35A
Rds On:38 mOhms
Vgs...
【数量1個〜】単価 ¥189
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ST Micro MOSFET STF7N60M2
■仕様
パッケージ:TO-220-3
トランジスタ極性:N-Channel
チャンネル数:1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:600V
Id - 連続ドレイン...
【数量1個〜】単価 ¥263
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ST Micro MOSFET STP20NF20
■仕様
パッケージ:TO-220-3
パッケージ/ケース:TO-220-3
トランジスタ極性:N-Channel
チャンネル数:1Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電...
【数量1個〜】単価 ¥315
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NEC FETアレイ UPA1523BH
【数量1個〜】単価 ¥357
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八ヶ岳クラブ 赤色レーザーモジュール RS-5000R
■仕様
電源電圧:DC5V
消費電流 約30mA
赤色レーザー:650nm
出力:1mW未満
直径:約φ6.2
長さ:約13mm(基板部含む、コード含まず)
焦点調整:レーザー円筒先端部を回...
【数量1個〜】単価 ¥651
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八ヶ岳クラブ Green Laser Hi power module
■仕様
出力:5mW
電源:DC3V 400mA ON sw
先端部直径:約φ8mm
胴体部直径:約φ13mm
全長:約53mm(基板部含む、コード含まず)
【数量1個〜】単価 ¥3129
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八ヶ岳クラブ Blue Laser Hi power module
■仕様
出力:5mW
電源:DC3V 120mA ON sw
直径:約φ12
全長:約49mm(基板部含む、コード含まず)
【数量1個〜】単価 ¥3129
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八ヶ岳クラブ ハイパワー赤色レーザーモジュール
外形寸法:約Φ12×35mm
電源電圧:3.0~5.0V
波長:650nm
出力:5mW
【数量1個〜】単価 ¥2980
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Elecrow 5Vレーザーポインターモジュール(赤) WIW56001W
電圧:5V
波長:650nm
【数量1個〜】単価 ¥300
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Elecrow 3Vレーザーモジュール(赤ライン) TEL2563L(ライン)
仕様
直径: 9mm
最大出力: 50mW
寿命:約1000時間
電流と電圧: 3V20mA
レーザー有効伝送距離:最大1km
【数量1個〜】単価 ¥400
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Elecrow 3Vレーザーモジュール(赤クロス) TEL2563L(クロス)
仕様
直径: 9mm
最大出力: 50mW
寿命:約1000時間
電流と電圧: 3V20mA
レーザー有効伝送距離:最大1km
【数量1個〜】単価 ¥400
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【9393】簡易レーザープロジェクタ ProjectionBall Unit CRESCENT-037
ロボット制御技術を応用したガルバノスキャナ方式の簡易レーザープロジェクタです。文字や時刻、日時、内蔵図形を描画することができます。
本体ボタン、PCのCOMポートやUARTを介して設定を変更することが可...
【数量1個〜】単価 ¥12680
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