商品詳細
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東芝(TOSHIBA) TJ11A10M3
パワーMOSFET(P-ch 1素子)
○ドレイン電流ID:-11A
○許容損失PD:24W
○ドレイン・ソース間電圧VDSS:-100V
○入力容量 (Typ.)Ciss:3200pF
○ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:69nC
○ドレイン・ソース間オン抵抗 (Max)RDS(ON):0.13Ω
○パッケージ:TO-220SIS
○RoHS対応品
【2SJ380の代替品】
○許容損失PD:24W
○ドレイン・ソース間電圧VDSS:-100V
○入力容量 (Typ.)Ciss:3200pF
○ゲート入力電荷 (Typ.)Qg:69nC
○ドレイン・ソース間オン抵抗 (Max)RDS(ON):0.13Ω
○パッケージ:TO-220SIS
○RoHS対応品
【2SJ380の代替品】
※廃番品につき、在庫限りで終了となります。予めご了承下さい。
在庫限り秋葉原本店取扱フロア:地下1階
| 【関連情報】 |
東芝半導体 |
管理コード：EEHD-4D6V
